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可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。因为amount从数据块 （DB3）的第12号字节始存放，它的地址为DB3.DBW12.用结构传递参数如果在块的变量声明表中，声明形参的类型为数组或结构，可以将整个数组或结构而不是它们的每个元素作为参数来传递，调用块时也可以将某个数组或结构的元素赋值给同一类型的参数。将复杂数据类型的变量作为参数传递时，作为形参和实参的两个变量必须具有相同的数据结构，两个结构应具有相同数据类型的结构元素和相同的排列顺序。上式（T2=IΦsinδ）表示前文《PM型电机转矩的产生及负载角》及文《HB型电机的转矩与负载关系》的图中转矩，如增加负载，δ也增加，至π/2时为其值。以上细分步进驱动方式是降低振动极为有效的手段。此时， 磁铁所产生的磁通分布定为正弦波。HB型步进电机的转子在dq轴方向分离成两个磁通，并且磁极上有很多的齿，容易产生高次谐波，除式T2=IΦsinδ所示的值外，还含有其他频率成分的磁场。如上所述的细分步进驱动，降低振动的要点如下：第细分步进越是在低速运行时效果越好。我们通过选择合适的电路元件参数，使其发射结正偏、集电结反偏（Uc＞Ub＞0），那么该电路就工作在放大状态，输入、输出电流满足ic=βib关系，也即集电极电流是基极电流的β倍。设输入为一正弦交流小信号u1（注意是小信号，也即在±0.7v内，如果超过了这个范围会出现饱和失真、截止失真问题），其大小和方向均周期性变化，平均值为零；经过电容C1的耦合后其与原直流偏置电压Ube叠加后变成了脉动直流信号u2，也即u2的波形和u1一样，但u2均为正值即u2＞0，u2的平均电压不在为零，这样的目的是因为发射结导通有一个死区电压，必须抬升电压后才能保证完整的信号输入，否则信号会被削去大部分，造成了严重的失真。